EFC6601R-A-TR
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| Numero di parte | EFC6601R-A-TR |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH EFCP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | EFC6601R-A-TR | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH EFCP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5106 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | EFCP2718-6CE-020 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-XFBGA, FCBGA |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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