EFC4C012NLTDG
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| Numero di parte | EFC4C012NLTDG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.157 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EFC4C012NLTDG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 134711 pcs | Scheda dati | EFC4C012NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-WLCSP (3.5x1.9) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Potenza - Max | 2.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, No Lead |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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