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EFC4C012NLTDG

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Numero di parte EFC4C012NLTDG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 134711 pcs
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Numero di parte EFC4C012NLTDG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 134711 pcs Scheda dati EFC4C012NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore 6-WLCSP (3.5x1.9) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs - Potenza - Max 2.5W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-SMD, No Lead
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Standard Tensione drain-source (Vdss) -
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -

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