ECH8601M-TL-H-P
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| Numero di parte | ECH8601M-TL-H-P |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | ECH8601M-TL-H-P | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4638 pcs | Scheda dati | ECH8601 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.3V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-ECH | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 4A, 4.5V | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | 24V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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