ECH8601M-C-TL-H
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| Numero di parte | ECH8601M-C-TL-H |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | ECH8601M-C-TL-H | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4554 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-ECH | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 4A, 4.5V | Potenza - Max | 1.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | 24V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
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