NXPLQSC10650Q
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| Numero di parte | NXPLQSC10650Q |
|---|---|
| fabbricante | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.275 | $1.144 | $0.938 | $0.798 | $0.673 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NXPLQSC10650Q | fabbricante | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 58001 pcs | Scheda dati | NXPLQSC10650 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.85V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 650V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-2 | Altri nomi | 1740-1223 934070147127 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 175°C (Max) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 230µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 10A | Capacità a Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
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