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BYV430J-600PQ

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Numero di parte BYV430J-600PQ
fabbricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrizione DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 68815 pcs
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Numero di parte BYV430J-600PQ fabbricante WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrizione DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 68815 pcs Scheda dati BYV430J-600P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 2V @ 30A
Tensione - inversa (Vr) (max) 600V Contenitore dispositivo fornitore TO-3P
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 90ns imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 Altri nomi 934071202127
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) Tipo montaggio Through Hole
Tipo diodo Standard Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode
Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 Corrente - Dispersione inversa a Vr 10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 30A

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WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV430J-600PQ. Distributore BYV430J-600PQ. BYV430J-600PQ fornitore. Prezzo BYV430J-600PQ. BYV430J-600PQ Scarica la scheda tecnica Foglio dati BYV430J-600PQ. Stock BYV430J-600PQ.Acquista BYV430J-600PQ. WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV430J-600PQ. WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ. WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV430J-600PQ.