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SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3
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Numero di parte SUP85N10-10-E3
fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4802 pcs
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Numero di parte SUP85N10-10-E3 fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4802 pcs Scheda dati SUP/SUB85N10-10Packaging Information
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 6550pF @ 25V
Tensione - Ripartizione TO-220AB Vgs (th) (max) a Id 10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) 4.5V, 10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® Stato RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 85A (Tc) Polarizzazione TO-220-3
Altri nomi SUP85N10-10-E3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore SUP85N10-10-E3 Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160nC @ 10V
Tipo IGBT ±20V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3V @ 250µA
Caratteristica FET N-Channel Descrizione espansione N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss) - Descrizione MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100V rapporto di capacità 3.75W (Ta), 250W (Tc)

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