SQJ431EP-T1_GE3
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| Numero di parte | SQJ431EP-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | 6000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.294 | $0.284 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQJ431EP-T1_GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72756 pcs | Scheda dati | SQJ431EP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 4355pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione | PowerPAK® SO-8 | Vgs (th) (max) a Id | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (Max) | 6V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12A (Tc) | Polarizzazione | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SQJ431EP-T1_GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks | codice articolo del costruttore | SQJ431EP-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5V @ 250µA | Caratteristica FET | P-Channel |
| Descrizione espansione | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200V |
| rapporto di capacità | 83W (Tc) |
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- Parte#:
70156-3320 - Produttori:
Omron Automation & Safety - Descrizione:
SYSTEM - Disponibile:
20