SI6423DQ-T1-GE3
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| Numero di parte | SI6423DQ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | 6000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.292 | $0.281 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI6423DQ-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 85643 pcs | Scheda dati | Si6423DQ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | - |
| Tensione - Ripartizione | 8-TSSOP | Vgs (th) (max) a Id | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Vgs (Max) | 1.8V, 4.5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.2A (Ta) | Polarizzazione | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks | codice articolo del costruttore | SI6423DQ-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110nC @ 5V | Tipo IGBT | ±8V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 800mV @ 400µA | Caratteristica FET | P-Channel |
| Descrizione espansione | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12V |
| rapporto di capacità | 1.05W (Ta) |
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