SI4634DY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4634DY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.273 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4634DY-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 72660 pcs | Scheda dati | SI4634DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 3150pF @ 15V |
| Tensione - Ripartizione | 8-SO | Vgs (th) (max) a Id | 5.2 mOhm @ 15A, 10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | TrenchFET® |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 24.5A (Tc) |
| Polarizzazione | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SI4634DY-T1-GE3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 68nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| rapporto di capacità | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
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