SI3460BDV-T1-GE3
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| Numero di parte | SI3460BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.118 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3460BDV-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 180340 pcs | Scheda dati | SI3460BDV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 860pF @ 10V |
| Tensione - Ripartizione | 6-TSOP | Vgs (th) (max) a Id | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | TrenchFET® |
| Stato RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (max) a Id, Vgs | 8A (Tc) |
| Polarizzazione | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks | codice articolo del costruttore | SI3460BDV-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24nC @ 8V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V | rapporto di capacità | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
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