VS-2EFH01HM3/I
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| Numero di parte | VS-2EFH01HM3/I |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 10000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.035 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VS-2EFH01HM3/I | fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 633157 pcs | Scheda dati | VS-2EFH01HM3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Picco inversa (max) | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 2A | Tensione - Ripartizione | DO-219AB (SMF) |
| Serie | - | Stato RoHS | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Resistenza a If, F | - |
| Polarizzazione | DO-219AB | Temperatura di funzionamento - Giunzione | 16ns |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 11 Weeks | codice articolo del costruttore | VS-2EFH01HM3/I |
| Descrizione espansione | Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF) | Configurazione diodo | 2µA @ 100V |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 950mV @ 2A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 100V | Capacità a Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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