VS-1EFH02W-M3-18
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| Numero di parte | VS-1EFH02W-M3-18 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A SMF |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VS-1EFH02W-M3-18 | fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A SMF | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5878 pcs | Scheda dati | VS-1EFH02W-M3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Picco inversa (max) | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1A | Tensione - Ripartizione | SMF (DO-219AB) |
| Serie | FRED Pt® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistenza a If, F | - |
| Polarizzazione | DO-219AB | Altri nomi | VS-1EFH02W-M3-18GITR |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 16ns | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | VS-1EFH02W-M3-18 |
| Descrizione espansione | Diode Standard 200V 1A Surface Mount SMF (DO-219AB) | Configurazione diodo | 2µA @ 200V |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A SMF | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 930mV @ 1A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 200V | Capacità a Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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