TPD3215M
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| Numero di parte | TPD3215M |
|---|---|
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $75.479 | $71.836 | $69.233 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPD3215M | fabbricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descrizione | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 432 pcs | Scheda dati | TPD3215M |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V | Potenza - Max | 470W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | Module |
| Altri nomi | TPH3215M TPH3215M-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
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