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TP65H035WS

TP65H035WS
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Numero di parte TP65H035WS
fabbricante Transphorm
Descrizione 650 V 46.5 CASCODE GAN FET
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5014 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TP65H035WS fabbricante Transphorm
Descrizione 650 V 46.5 CASCODE GAN FET Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5014 pcs Scheda dati TP65H035WS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 700µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 41 mOhm @ 30A, 8V Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 8V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46.5A (Tc)

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