TRS8E65C,S1Q
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| Numero di parte | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.822 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TRS8E65C,S1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 12040 pcs | Scheda dati | TRS8E65C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.7V @ 8A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 650V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-2L |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-2 | Altri nomi | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 175°C (Max) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 90µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 8A (DC) | Capacità a Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
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