TPH1110ENH,L1Q
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| Numero di parte | TPH1110ENH,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.246 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH1110ENH,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 82932 pcs | Scheda dati | TPH1110ENH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
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- Parte#:
RT0603BRC07475RL - Produttori:
Yageo - Descrizione:
RES SMD 475 OHM 0.1% 1/10W 0603 - Disponibile:
531857