TPCA8025(TE12L,Q,M
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| Numero di parte | TPCA8025(TE12L,Q,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCA8025(TE12L,Q,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5981 pcs | Scheda dati | TPCA8025Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) | Serie | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 40A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
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