TPC6012(TE85L,F,M)
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| Numero di parte | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC6012(TE85L,F,M) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5848 pcs | Scheda dati | TPC6012Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | VS-6 (2.9x2.8) | Serie | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi | TPC6012(TE85LFM) TPC6012TE85LFM |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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