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TK90S06N1L,LQ

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Numero di parte TK90S06N1L,LQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 105137 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TK90S06N1L,LQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 105137 pcs Scheda dati TK90S06N1L
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 500µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3 mOhm @ 45A, 10V Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi TK90S06N1L,LQ(O
TK90S06N1LLQTR		 temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Ta)

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