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TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X
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Numero di parte TK7A90E,S4X
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59679 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte TK7A90E,S4X fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 900V TO220SIS Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59679 pcs Scheda dati TK7A90E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 700µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie π-MOSVIII
Rds On (max) a Id, Vgs 2 Ohm @ 3.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 900V Descrizione dettagliata N-Channel 900V 7A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)

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