TK6P60W,RVQ
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| Numero di parte | TK6P60W,RVQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.358 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK6P60W,RVQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 93142 pcs | Scheda dati | TK6P60W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 310µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 820 mOhm @ 3.1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TK6P60W,RVQ(S TK6P60WRVQ TK6P60WRVQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
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