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TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ
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Numero di parte TK62J60W,S1VQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 7077 pcs
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Numero di parte TK62J60W,S1VQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N) Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 7077 pcs Scheda dati TK62J60W
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 3.1mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P(N) Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 38 mOhm @ 30.9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 61.8A (Ta)

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