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TK5A60W,S4VX

TK5A60W,S4VX
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Numero di parte TK5A60W,S4VX
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 89402 pcs
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Numero di parte TK5A60W,S4VX fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 89402 pcs Scheda dati TK5A60W
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 270µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 900 mOhm @ 2.7A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK5A60W,S4VX(M
TK5A60WS4VX		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 5.4A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Ta)

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