TK040N65Z,S1F
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| Numero di parte | TK040N65Z,S1F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.511 | $3.794 | $3.486 | $2.973 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK040N65Z,S1F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11292 pcs | Scheda dati | TK040N65Z Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 2.85mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 28.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 | Altri nomi | TK040N65Z,S1F(S TK040N65ZS1F |
| temperatura di esercizio | 150°C | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable | Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Ta) |
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