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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

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Numero di parte TJ20S04M3L(T6L1,NQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 99216 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TJ20S04M3L(T6L1,NQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 99216 pcs Scheda dati Mosfets Prod GuideTJ20S04M3L
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) +10V, -20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK+ Serie U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs 22.2 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi TJ20S04M3L(T6L1NQ
TJ20S04M3LT6L1NQ		 temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata P-Channel 40V 20A (Ta) 41W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)

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