T2N7002BK,LM
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| Numero di parte | T2N7002BK,LM |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.012 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | T2N7002BK,LM | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2070217 pcs | Scheda dati | T2N7002BK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 | Serie | U-MOSVII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 100mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 320mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | T2N7002BK,LM(B T2N7002BK,LM(T T2N7002BKLM T2N7002BKLMTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
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