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SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF
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Numero di parte SSM6N815R,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 315058 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SSM6N815R,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 315058 pcs Scheda dati SSM6N815R
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP-F Serie U-MOSVIII-H
Potenza - Max 1.8W (Ta) imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads Altri nomi SSM6N815RLFDKR
temperatura di esercizio 150°C Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)

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