SSM5G10TU(TE85L,F)
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| Numero di parte | SSM5G10TU(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.239 | $0.20 | $0.15 | $0.11 | $0.085 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM5G10TU(TE85L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 242768 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideSSM5G10TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UFV | Serie | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 213 mOhm @ 1A, 4V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Altri nomi | SSM5G10TU(TE85LF)CT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
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