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RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)
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Numero di parte RN2911FE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 817676 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN2911FE(TE85L,F) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 817676 pcs Scheda dati RN2910FE-11FE
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) - Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi RN2911FE(TE85LF)CT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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