Italia

Seleziona la lingua

  1. English
  2. Deutsch
  4. Français
  5. Italia
  6. Dansk
  7. 한국의
  8. Português
  9. ภาษาไทย
  10. Kongeriket
  11. Maori
  12. Melayu
  13. polski
  14. Nederland
  15. Türk dili
  16. Suomi
  17. Tiếng Việt
  18. Svenska
  19. русский
  20. العربية
  21. Gaeilge
  22. Republika e Shqipërisë
  23. Eesti Vabariik
  24. Български език
  25. Pilipino
  26. Čeština
  27. Hrvatska
  28. românesc
  29. မြန်မာ
  30. Cрпски
  31. සිංහල
  32. Slovenská
  33. Slovenija
  34. español
  35. עִבְרִית
  36. Ελλάδα
  37. Magyarország
  38. Azərbaycan
  39. Беларусь
  40. íslenska
  41. Bosna
  42. فارسی
  43. Afrikaans
  44. Cambodia
  45. საქართველო
  46. Ayiti
  47. Hausa
  48. Kurdî
  49. Latviešu
  50. ພາສາລາວ
  51. lietuvių
  52. Lëtzebuergesch
  53. malaɡasʲ
  54. Македонски
  55. Україна
  56. Indonesia
  57. پښتو
  58. हिंदी
  59. Монголулс
  60. اردو
  61. বাংলা ভাষার
  62. नेपाली
  63. O'zbek
  64. मराठी
Annulla
RFQ / ordine | Contatto |
Si prega di inserire un numero di parte produttore totale o parziale, con un minimo di 3 lettere o numeri
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Presenti l'inchiesta
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)
OMRON AUTOMATION & SAFETYLe immagini sono solo di riferimento.
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare RN2909FE(TE85L,F) con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia

Richiedi un preventivo

Numero di parte RN2909FE(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1031153 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		4000 pcs
$0.023

Invia una richiesta di offerta a quantità maggiori di quelle visualizzate.

Prezzo indicativo:(USD)
Quantità:
Totale:
$0.023

Product parameter

Numero di parte RN2909FE(TE85L,F) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1031153 pcs Scheda dati RN2907FE-09FE
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi RN2909FE(TE85LF)TR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

Prodotti correlati

 Inchiesta

Notizie correlate per RN2909FE(TE85L,F)

Parole chiave collegate a RN2909FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE(TE85L,F). Distributore RN2909FE(TE85L,F). RN2909FE(TE85L,F) fornitore. Prezzo RN2909FE(TE85L,F). RN2909FE(TE85L,F) Scarica la scheda tecnica Foglio dati RN2909FE(TE85L,F). Stock RN2909FE(TE85L,F).Acquista RN2909FE(TE85L,F). Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE(TE85L,F). Toshiba RN2909FE(TE85L,F).