RN2310,LF
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| Numero di parte | RN2310,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.012 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN2310,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2119822 pcs | Scheda dati | RN2310,11 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | USM | Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | RN2310,LF(B RN2310,LF(T RN2310LFTR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 200MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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