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RN2111MFV,L3F

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Numero di parte RN2111MFV,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2248634 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN2111MFV,L3F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2248634 pcs Scheda dati RN2110-11MFV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore VESM Serie -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potenza - Max 150mW
Contenitore / involucro SOT-723 Altri nomi RN2111MFVL3F
Tipo montaggio Surface Mount Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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  • Parte#:RC1218DK-074K3L
  • Produttori:Yageo
  • Descrizione:RES SMD 4.3K OHM 1W 1812 WIDE
  • Disponibile:312591
$0.066/pcsInchiesta

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