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RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)
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Numero di parte RN2106(T5L,F,T)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 349983 pcs
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Numero di parte RN2106(T5L,F,T) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 349983 pcs Scheda dati RN2101-06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSM Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416 Altri nomi RN2106(T5LFT)CT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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