RN1910FE(T5L,F,T)
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| Numero di parte | RN1910FE(T5L,F,T) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.149 | $0.107 | $0.083 | |||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $0.063 | $0.044 | $0.036 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1910FE(T5L,F,T) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 557472 pcs | Scheda dati | RN1910,11FE Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - | Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 100mW | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Altri nomi | RN1910FE(T5LFT)CT |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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- Parte#:
RPC2512KT15R0 - Produttori:
Stackpole Electronics, Inc. - Descrizione:
RES 15 OHM 10% 1.5W 2512 - Disponibile:
444479