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RN1506(TE85L,F)

RN1506(TE85L,F)
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Numero di parte RN1506(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 515942 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Numero di parte RN1506(TE85L,F) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 515942 pcs Scheda dati RN1501-06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Contenitore dispositivo fornitore SMV Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 300mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-74A, SOT-753 Altri nomi RN1506(TE85LF)CT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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