RN1406S,LF(D
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| Numero di parte | RN1406S,LF(D |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1406S,LF(D | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4633 pcs | Scheda dati | RN1401-06 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms | Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 200mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | RN1406SLF(D |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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