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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1308,LF

RN1308,LF

RN1308,LF
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Numero di parte RN1308,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1638324 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN1308,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1638324 pcs Scheda dati RN1307-09
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore USM Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 Altri nomi RN1308(TE85LF)DKR
RN1308(TE85LF)DKR-ND
RN1308LFDKR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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