RN1132MFV,L3F
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| Numero di parte | RN1132MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
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| $0.01 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1132MFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2340573 pcs | Scheda dati | RN2131,2 MFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 200 kOhms | Potenza - Max | 150mW |
| Contenitore / involucro | SOT-723 | Altri nomi | RN1132MFVL3F |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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