RN1118MFV,L3F
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| Numero di parte | RN1118MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.01 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1118MFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2192787 pcs | Scheda dati | RN1114-18MFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms | Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW | Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | RN1118MFVL3F | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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