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RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT
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Numero di parte RN1106,LF(CT
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2905802 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
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Numero di parte RN1106,LF(CT fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2905802 pcs Scheda dati RN1101-06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSM Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416 Altri nomi RN1106,LF(CB
RN1106LF(CT
RN1106LF(CT-ND
RN1106LF(CTTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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