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GT50J121(Q)

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Numero di parte GT50J121(Q)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4948 pcs
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Numero di parte GT50J121(Q) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 600V 50A 240W TO3P LH Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4948 pcs Scheda dati GT50J121
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.45V @ 15V, 50A Condizione di test 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 90ns/300ns di scambio energetico 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P(LH) Serie -
Potenza - Max 240W imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3PL temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT - Descrizione dettagliata IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 100A Corrente - collettore (Ic) (max) 50A

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