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GT10J312(Q)

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Numero di parte GT10J312(Q)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5949 pcs
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Numero di parte GT10J312(Q) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IGBT 600V 10A 60W TO220SM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5949 pcs Scheda dati GT10J312
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 10A Condizione di test 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 400ns/400ns di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SM Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 200ns Potenza - Max 60W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT -
Descrizione dettagliata IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM Corrente - collettore Pulsed (Icm) 20A
Corrente - collettore (Ic) (max) 10A Numero di parte base GT10

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