CUHS10F60,H3F
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| Numero di parte | CUHS10F60,H3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.187 | $0.134 | $0.079 | $0.045 | $0.034 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CUHS10F60,H3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 658091 pcs | Scheda dati | CUHS10F60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - inversa (Vr) (max) | 60V |
| Contenitore dispositivo fornitore | US2H | Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 2-SMD, Flat Lead | Altri nomi | CUHS10F60H3FCT |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 150°C (Max) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Schottky |
| Descrizione dettagliata | Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 40µA @ 60V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 1A | Capacità a Vr, F | 130pF @ 0V, 1MHz |
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