BAS316,H3F
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| Numero di parte | BAS316,H3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.012 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BAS316,H3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2148862 pcs | Scheda dati | BAS316 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.25V @ 150mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 100V | Contenitore dispositivo fornitore | USC |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 3ns | Contenitore / involucro | SC-76, SOD-323 |
| Altri nomi | BAS316H3F | Temperatura di funzionamento - Giunzione | 150°C (Max) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 200nA @ 80V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 250mA |
| Capacità a Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
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