2SK879-GR(TE85L,F)
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| Numero di parte | 2SK879-GR(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | JFET N-CH 0.1W USM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.181 | $0.153 | $0.115 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK879-GR(TE85L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | JFET N-CH 0.1W USM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 183659 pcs | Scheda dati | 2SK879 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Contenitore dispositivo fornitore | USM | Serie | - |
| Potenza - Max | 100mW | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 | Altri nomi | 2SK879-GR(TE85LF)CT |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Descrizione dettagliata | JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM | Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) | 2.6mA @ 10V |
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