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2SK3868(Q,M)

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Numero di parte 2SK3868(Q,M)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6017 pcs
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Numero di parte 2SK3868(Q,M) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6017 pcs Scheda dati 2SK3868Mosfets Prod Guide
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)

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