2SK2009TE85LF
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| Numero di parte | 2SK2009TE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SK2009TE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4518 pcs | Scheda dati | 2SK2009 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-59-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2 Ohm @ 50MA, 2.5V | Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 3V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
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