2SB1457,T6YMEF(M
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| Numero di parte | 2SB1457,T6YMEF(M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PNP 2A 100V TO226-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SB1457,T6YMEF(M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PNP 2A 100V TO226-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4945 pcs | Scheda dati | 2SB1457 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 100V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A | Tipo transistor | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92MOD | Serie | - |
| Potenza - Max | 900mW | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | Altri nomi | 2SB1457T6YMEF(M 2SB1457T6YMEFM |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 50MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 2A |
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