2SA965-Y,SWFF(M
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| Numero di parte | 2SA965-Y,SWFF(M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 2SA965-Y,SWFF(M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4847 pcs | Scheda dati | 2SA965 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 120V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | Tipo transistor | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | LSTM | Serie | - |
| Potenza - Max | 900mW | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | Altri nomi | 2SA965-YSWFF(M 2SA965YSWFFM |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 120MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 800mA |
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